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用玻色化技术和高斯波泛函变分理论研究了电荷转移型Hubbard模型.通过自旋密度波和电荷密度波的位相结构的变化,并结合其相应能隙的变化,得到以下结论:系统的Ising相变与Mott相变不重合,中间有一个SDI(spontaneously dimerized insulating)的过渡相.在BI(band-insulator)相,自旋密度波与电荷密度波都具有能隙,而在MI(Mott-insulator)相,电荷密度波具有能隙,自旋密度波没有能隙.