基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)

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报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器. Reported an InP single heterojunction bipolar transistor (SHBT) with a base micro-air bridge and an emitter air bridge.As the base micro-air bridge and emitter-air bridge structures effectively reduce parasitic, emitter size The cutoff frequency of InPHBT of 2μm × 12.5μm reaches 178GHz.The device is critical for high speed and low power consumption applications such as OEIC receivers and analog and digital converters.
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