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空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:adream_T
【摘 要】
:
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。
【作 者】
:
李韫言
蔚燕华
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所
【出 处】
:
功能材料与器件学报
【发表日期】
:
2000年4期
【关键词】
:
砷化镓
汽泡
阴极荧光形貌
俄歇能谱分析
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在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。
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