【摘 要】
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随着IC集成度、速度、可靠性的增高,人们对难熔金属及其硅化物的研究日益广泛.这类材料具有低电阻、高熔点和低的接触电阻等优点,用作栅、互连线和接触材料,克服多晶硅电阻
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随着IC集成度、速度、可靠性的增高,人们对难熔金属及其硅化物的研究日益广泛.这类材料具有低电阻、高熔点和低的接触电阻等优点,用作栅、互连线和接触材料,克服多晶硅电阻率高(重掺多晶硅ρ=1000μΩ-cm)而导致的电路速度降低;铝熔点低导致的电迁移和结穿透;器件尺寸减小而导致的寄生电阻效应等弊病.一、硅化物的形成
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