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综述了ＰＺＴ厚膜单元声纳换能器和８×８阵列声纳换能器的制备方法、结构和性能，并介绍了ＰＺＴ厚膜声纳换能器的应用及发展前景。该厚膜是利用改进的ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的，厚度为４￣１２μｍ。４μｍ厚的ＰＺＴ厚膜的纵向压电系数ｄ３３为１４０￣２４０ｐＣ／Ｎ，剩余极化强度Ｐｔ为２８×１０＾－６Ｃ／ｃｍ＾２，矫顽场强Ｅｃ为３０×１０＾３Ｖ／ｃｍ，相对介电系数εｒ为１４００。