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在利用电迁移现象制备铝纳米线的过程中, 铝纳米线的生长位置取决于铝原子的积聚位置。为实现铝原子积聚位置控制, 基于纳米压痕技术改变试样中铝膜的横截面结构, 制备了铝膜试样。通过输入并调节直流电大小使铝膜内产生电迁移现象。试验结果表明, 纳米压痕技术可有效提高局部区域的电流密度, 显著增强铝原子的电迁移强度, 并在压痕区域出现铝原子积聚现象。