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报道了3种取代聚噻吩,3-己基聚噻吩(P3HT)、3,4-二戊基聚噻吩(P34PT)、3-辛氧基聚噻吩(P3OOT)的合成方法、^1 H—NMR测试结果及UV—Vis吸收光谱和荧光光谱分析结果。用密度泛函方法计算了无取代噻吩、3-乙基噻吩、3,4-二乙基噻吩、3-乙氧基噻吩二聚体的电子性能。随聚合度的提高,聚合物能隙变窄。无取代噻吩二聚体的能隙为4.216eV,重复单元长度为0.3927nm;乙基取代噻吩二聚体的能隙为4.733eV,重复单元长度为0.3939nm;乙氧基取代噻吩二聚体的能隙为3.890e