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提出一种氧化增强注氧隔离工艺，在退火前氧化得到SiO2层，再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失，且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰，埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明，氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。