Bi(Pb)系高Tc氧化物超导体包银加工带材的传输电流密度

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用 Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、PbO,SrCO<sub>3</sub>、CaCO<sub>3</sub>以及 CuO 为原料,近乎 Bi∶Sr∶Ca∶Cu=1∶1∶1∶2配比,其中0.3的 Bi 用 Pb 替代。配料充分研、混后,进行800℃,712小时煅烧。随之再细磨、压型,并经840℃~880℃、250小时以上烧结。块样零电阻温度达112K。将块样包银,轧制成薄带,且进行830
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