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采用控电位沉积方式在ｐ－Ｓｉ上制备了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了阴极沉积行为，研究了电沉积条件对膜组成的影响，并探讨了膜组成与结构的关系，ＸＲＤ测试表明Ｎｉ－Ｐｄ合金呈面心立方的固溶本结构，其晶面间距随合金组成不同而变化，ＸＰＳ研究表明，Ｐｄ与硅之间存在着较强的常温扩散并形成了硅化物。
P型Si上Ni—Pd薄膜的电沉积及界面硅化物的研究
【摘 要】
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采用控电位沉积方式在ｐ－Ｓｉ上制备了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了阴极沉积行为，研究了电沉积条件对膜组成的影响，并探讨了膜组成与结构的关系，ＸＲＤ测试表明Ｎｉ－Ｐｄ合金呈面心立方的固溶本结构，其晶面间距随合金
【机 构】
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天津大学应用化学系,天津理工学院
【出 处】
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电镀与精饰
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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