【摘 要】
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本文研究了Makrofol KG膜的总体蚀刻特性。研究结果表明,体蚀刻速度与蚀刻温度遵守Arr-henius方程V_b=a·e~(-E/KT),其中,体激活能E=0.66±0。02eV。体蚀刻速度与蚀刻浓度的
【机 构】
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中国原子能科学研究院rrrrrrrrn,中国原子能科学研究院
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本文研究了Makrofol KG膜的总体蚀刻特性。研究结果表明,体蚀刻速度与蚀刻温度遵守Arr-henius方程V_b=a·e~(-E/KT),其中,体激活能E=0.66±0。02eV。体蚀刻速度与蚀刻浓度的关系为V_b=an~b,在1—10mol/l NaOH溶液中,b=2.02。
This article studies the overall etching behavior of Makrofol KG membranes. The results show that the body etching rate and etching temperature comply with the Arr-henius equation V_b = a · e ~ (-E / KT), in which the body activation energy E = 0.66 ± 0.02eV. The relationship between the body etching rate and the etching concentration is V_b = an ~ b, and b = 2.02 in 1-10 mol / l NaOH solution.
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