【摘 要】
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本文用霍耳、SIMS、电化学C-V和光致发光等方法,研究了在550℃至950℃生长温度范围内 LPE GaAs中Ge的分凝行为以及占Ga位Ge原子与占As位Ge原子的占位比.得到Ge的分凝系数随生
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,北京
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本文用霍耳、SIMS、电化学C-V和光致发光等方法,研究了在550℃至950℃生长温度范围内 LPE GaAs中Ge的分凝行为以及占Ga位Ge原子与占As位Ge原子的占位比.得到Ge的分凝系数随生长温度降低而增大,占位比Ge_(Ga)/Ge_(As)随生长温度降低而减小.
In this paper, the segregation behavior of Ge in LPE GaAs and Ge atoms in Ga site and Ge site in As site were studied by means of Hall effect, SIMS, electrochemical CV and photoluminescence. The gelation coefficient of Ge increased with the decrease of growth temperature, and the Ge_ (Ga) / Ge_ (As) occupancy decreased as the growth temperature decreased.
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