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提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构．基于异质结电流输运机制，该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输，改善了二极管的反向恢复特性，同时具有较低的反向漏电流．与少子寿命控制技术相比，该器件有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间三者之间的矛盾．对不同温度下器件反向恢复特性研究结果表明，SiGeC二极管的反向恢复时间与同结构SiGe二极管相比，350K时缩短了1／3，400K时缩短了40％以上，器件的热稳定性显著提高，降低了对器件后续制作工艺的限制，有益于功