提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构．基于异质结电流输运机制，该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输，改善......

用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合......

基于异质结理论，提出了一种新型P^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDICI模......

论文将SiGeC/Si异质结技术用于功率二极管反向恢复特性的改进,首先研究分析了Si基应变材料的晶格结构,形成压应变和张应变的机理,......

提出一种超结硅锗碳异质结双极晶体管(SiGeC HBT)新结构.详细分析了新结构中SiGeC基区和超结结构的引入对器件性能的影响,并对其电......