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利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理.采用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和原子力显微镜对样品的结构进行了表征.通过谱线Lorentzian分峰拟合方法,分析比较了不同功率下制备的氟化非晶碳膜sp杂化结构,得到了薄膜生长过程功率控制与结构的关系,功率增大、退火温度升高,膜内sp2相对含量增加.退火温度达到350 ℃时,薄膜中石墨结构明显增加.