【摘 要】
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对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型
【机 构】
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电子科技大学微电子技术与电子材料系
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对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。
The (Al, Ga) As / GaAs modulation doped field effect transistor MODFET was designed, developed and tested. Heterojunction materials obtained by the domestic molecular beam epitaxy system (MBE) have been used to develop partially depleted and enhanced MODFETs. The typical DC-conductance is 90-135mS / mm. Depletion MODFETs were microwave tested. At 4GHz, the minimum noise figure of 2.49dB, the maximum power gain of 10.2dB, in the country have not seen a similar report.
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