X频段FET混频器的仿真设计

来源 :太赫兹科学与电子信息学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qwer96669
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主要研究X 频段下变频场效应管(FET)混频器的设计与仿真,利用谐波平衡法和变换矩阵法对FET 漏极混频器的工作原理进行分析,根据设计要求选取合适的FET 管,运用先进设计系统(ADS) 软件对电路进行设计、仿真优化和加工测试.测试结果表明, 在射频频率为12.3 GHz-13.2 GHz,中频频率为1.6 GHz-2.5 GHz 时,变频损耗小于5 dB.
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