【摘 要】
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随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的
【机 构】
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Novellus Systems Inc.,
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随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的电阻率要求。
As feature sizes shrink below 32nm, conventional pulsed nucleation layers (PNLs) will not meet the required resistivity performance requirements. The development of tungsten nucleation and CVD fill technology has enabled ALD tungsten to be scaled to 2Xnm size and still meet the required resistivity requirements.
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