【摘 要】
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随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,
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随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并在0.35μm BCD工艺下进行流片试验。测试结果表明,优化衬底电阻可以有效地提高器件的ESD泄放能力,最优结构的二次击穿电流由原始器件的0.75A增大到3.3A。
With the wide application of high voltage integrated circuits, the ESD performance of high-voltage devices is increasingly valued by the majority of designers. The influence of substrate parasitic resistance on ESD characteristics of high-voltage LDMOS devices is theoretically analyzed. Several structures are used to optimize the above parameters, and the chip test is carried out under a 0.35μm BCD process. The test results show that the optimized substrate resistance can effectively improve the ESD discharge capability of the device, and the optimal breakdown current of the optimized structure increases from 0.75A to 3.3A of the original device.
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