【摘 要】
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提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压.通过分析器件的结构参数
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压.通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻.与常规nLDMOS结构相比,该器件不仅具有高的击穿电压,而且制造工艺简单、成本低.
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