nLDMOS相关论文
提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术,近日荣获2......
基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击......
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件（NLDMOS）在关......
为了不增加器件成本，方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离，因而迫切需要解决既能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要......
PDP(Plasma Display Panel:等离子体显示平板)作为新一代显示技术,以其响应速度快,宽屏显示及图像分辨率高等优点,成为显示技术领......
