Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

来源 :高压物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aidanzeng

【摘要】

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在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x＝0.19,0.22)在室温下、20GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明:它们分别在0.7～1.8GPa与8.6GPa左右以及

【作者】

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鲍忠兴褚君浩柳翠霞顾惠成刘克岳李标王金义

【机构】

：

中国科学院物理研究所,中国科学院国际材料物理中心,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,华北光电研究所

【出处】

：

高压物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

电阻电容状态方程相变

【基金项目】

：

国家重点实验室基金;

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在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x＝0.19,0.22)在室温下、20GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明:它们分别在0.7～1.8GPa与8.6GPa左右以及在1.6GPa左右与8.3GPa左右发生了两次电子结构相变;分别在2GPa左右与8.6GPa以上以及在1.6GPa左右与8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变.同时,还在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x＝0.21)在室温下、4.5GPa内的p-V关系.实验结果发现它在2.1GPa左右发生了相变.给出了它在相变前后的状态方程.

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