【摘 要】
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本文从工艺的角度叙述了CCD器件研制中的C-V与C-t技术,介绍了TCE氧化和试验结果;分析了二相CCD中获得ΔV_T的方法,对台阶氧化层法作了理论计算,给出了离子注入法的试验结果;
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本文从工艺的角度叙述了CCD器件研制中的C-V与C-t技术,介绍了TCE氧化和试验结果;分析了二相CCD中获得ΔV_T的方法,对台阶氧化层法作了理论计算,给出了离子注入法的试验结果;文中分析了影响C-t的因素,并给出了试验结果。
In this paper, the CV and Ct techniques in the development of CCD devices are described from the perspective of technology. The oxidation and experimental results of TCE are introduced. The method of obtaining ΔV_T in two-phase CCDs is analyzed. The theoretical calculation of the step oxide method is given. Injection test results; the paper analyzed the factors that affect Ct, and gives the test results.
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