【摘 要】
:
本文首先分析了我国电子衡器的发展现状,然后通过调研发现,我国电子衡器现阶段应用中可能会出现原材料不达标引起的一系列问题、电子衡器制造阶段考虑不全面或生产环境达不到要求所引起的问题,并提出了解决方案.最后就未来电子衡器制造业在5G技术、人工智能和自主化芯片发展的背景下,电子衡器的数字化、智能化改造升级,提出了展望.
【机 构】
:
博兴县计量测试检定所,山东 滨州 256500
论文部分内容阅读
本文首先分析了我国电子衡器的发展现状,然后通过调研发现,我国电子衡器现阶段应用中可能会出现原材料不达标引起的一系列问题、电子衡器制造阶段考虑不全面或生产环境达不到要求所引起的问题,并提出了解决方案.最后就未来电子衡器制造业在5G技术、人工智能和自主化芯片发展的背景下,电子衡器的数字化、智能化改造升级,提出了展望.
其他文献
提出了一种收集环境电磁能量的Vivaldi多频整流天线.接收天线为新型高增益对趾Vivaldi宽带天线,通过在两个金属臂外侧刻蚀两列不等长的锥形槽来延长其表面电流路径,从而改善低频辐射模式,天线在2~4.5 GHz低频带内增益提高了1~4.2 dBi.天线在1.16~6 GHz宽带内S11参数小于-10 dB,在该频段内设计三频整流电路,其Π型和T型两级阻抗匹配网络用于接收天线和整流二极管输入阻抗的匹配.将接收天线和整流电路集成,实验结果表明:当接收功率为2 dBm时,整流天线在2.06,3.43,5.2
超级电容器是一种绿色储能节能器件,其性能主要是由电极材料所决定的.以疏松的石墨烯(GR)为模板,先后以吡咯(Py)和苯胺(ANi)为单体,采用两步原位聚合法制备了具有“三明治”结构的石墨烯/聚吡咯/聚苯胺(GR/PPy/PANi)复合材料,探索了原料比对复合材料结构、微观形貌、电化学性能的影响.研究表明,Py和ANi分别能均匀地聚合在GR和GR/PPy纳米片上;GR/PPy/PANi复合材料具有较小的内阻,兼有双电层电容和赝电容储能,当GR:Py:ANi原料质量比为1:5:5和电流密度为0.2 A/g时,
基于密度泛函理论和非平衡格林函数,研究了中心散射区长度对于锯齿-扶手椅-锯齿型石墨烯纳米带(Z-A-ZGNRs)的电子输运特性的影响.结果表明:中心散射区长度对导电性能有很大的影响.散射区长度较小时,在一定区间内具有明显的负微分电阻现象,长度增加时,这种效应减弱.Z-A-ZGNRs在-2~2 V偏压下存在整流现象,散射区长度较小时,在负偏压下导电性能优于正偏压,存在反向整流现象,最大整流比为1.98;长度较大时在正偏压下导电性能优于负偏压,存在正向整流现象,最大整流比为2.54.在-1~1 eV内,散射区
针对斩波调制导致的输出纹波和带宽受限的问题,采用复合路径结构,将运放分为高频低增益的主路径和低频高增益的辅助路径,主路径决定带宽,辅助路径决定失调,斩波调制位于辅助路径,解除了带宽限制;将Ping-pong自动调零与斩波调制相结合,减小了运放的失调和斩波调制导致的纹波;采用复合路径混合嵌套米勒补偿的方法来进行频率补偿,保证了多级运放的稳定性.低失调运放的设计基于华虹宏力(GSMC)0.13μm CMOS工艺,经Spectre仿真得到,运放的单位增益带宽为3.53 MHz,输入等效失调电压小于15.8μV,
为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求,实现厘米波多波段同时观测,使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3~8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片.放大器电路采用三级级联放大结构,双电源供电,芯片尺寸为2000μm×1000μm.仿真结果显示,常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定.该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段,适用于厘米波段的
采用微波辅助烧结法在空气气氛中以1100℃烧结20 min制备出不同Al2 O3掺杂量(摩尔分数0%~6%)的ZnO陶瓷.通过XRD、SEM、霍尔实验、UV-Vis光谱、Raman光谱、PL光谱的表征,研究了Al2 O3掺杂量的变化对微波辅助烧结ZnO陶瓷的物相结构、微观组织、电学性能、光学性能的影响.实验结果表明,Al2 O3掺杂并没有改变ZnO陶瓷的六方纤锌矿结构,随着Al2 O3掺杂量的增加,在ZnO晶界处逐渐形成ZnAl2 O4尖晶石相,ZnO晶粒尺寸逐渐减小;微波辅助烧结所制备ZnO陶瓷的室温电
在电子设备中广泛应用的玻封二极管属于机械应力敏感器件,异常的封装烧结工艺或过大的安装应力都可能导致玻壳发生开裂失效.通过对一例玻封二极管玻壳开裂失效的问题进行分析,发现杜美丝表面氧化层裂纹缺陷会导致玻壳烧结界面局部产生较大内应力,烧结后冷却速率过快,就会导致这些较大的内应力无法充分释放,产生残余应力,较大的残余应力会造成玻壳在使用中开裂.最后提出了完善工艺参数的措施.
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数.仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%.提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶.
基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5~5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC~1.5 GHz.仿真结果表明,变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso_LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso_L
为了更好地满足无线通信系统对微波电路双频/多频段的需求,基于微带-槽线双层结构设计了一款应用于S波段的双频滤波功分器.首先,在单个半波长微带谐振器基础上,利用枝节加载技术设计一款双模谐振器,实现双频带通滤波器设计,并将该滤波器与Wilkinson功分器进行集成,实现双频滤波功分器设计;其次,利用微带线和槽线的对偶关系,在不增加电路尺寸的基础上,引入双模槽线谐振器与微带谐振器进行垂直级联,从而展宽滤波功分器的两个通带带宽;最后利用枝节加载技术优化馈电网络.由于双模微带-槽线谐振器和馈电网络自身的特性,在每个