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研究了低能量背面Ar^+轰击对n-沟MOSFET特性的影响,用低能量(550eV)氩离子束轰击-n沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压VT,跨导gm,沟道电导gd和有效迁移率μefft等参数。结果表明,随着轰击时间的增加,阈值电压先减小,随后变大;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大,随后减小。实验证明,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果。