研究了低能量背面Ar^+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响。用低能量（550eV）的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面，能改善其饱和区和线性区......

研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的......

研究了低能量背面Ar^+轰击对n-沟MOSFET特性的影响，用低能量（550eV)氩离子束轰击－n沟MOSFET芯片的背面，能改善其阈值电压VT，跨导gm，沟道......

用550eV的低能量Ar+离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电......