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降低SiO2／SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2／SiC界面，制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价，获得的氧化膜击穿场强约为9．96MV／cm，SiO2／SiC势垒高度2．70eV，同时在费米能级附近SiO2／SiC的界面态密度低减至2．27×10^12cm^-2eV。实验结果表明，氮等离子体处理SiO2／SiC界面后能有效降低界面态密度，改善MOS界面特性。