本文研究了氮掺杂、磷掺杂、磷掺杂与Si_3N_4复合介质相结合三种不同栅介质工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性测试及经......

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降低SiO2／SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2／SiC界面，制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧......

基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后，电容C—V特性曲线平带附近的Kink效应，得到有效减弱；并且能级分裂......

降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界......

SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振（ECR）氮等离子体氧化后退火工艺处理,采......

In As/AlSb高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中,InAs沟道材料有高电子峰值速度（4×l07 cm/s）,且InAs/AlSb异质结有很大的导带带隙ΔEc（1.35......