金属有机物化学气相沉积GaAs／Si外延层中1.13eV发光带特性研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kongjiahao

【摘要】

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用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能

【作者】

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赵家龙高瑛刘学彦窦恺黄世华虞家琪梁家昌高鸿楷

【机构】

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中国科学院长春物理研究所,中国民用航空学院,中国科学院西安光机所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

1995年4期

【关键词】

：

光致发光深能级外延层砷化镓 near-infrared photoluminescence deep level GaAs/Si.

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用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系，确定施主和受主的束缚能分别为５和２９５ｍｅＶ，并证实ＧａＡｓ／Ｓｉ外延层中的１．１３ｅＶ发光为硅施主－镓空位受主对的复合发光．

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