【摘 要】
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通过改进ZnGeP2晶体的合成和生长工艺,获得了尺寸为24 mm×60 mm的ZnGeP2单晶体。采用X射线光电子能谱（XPS）对生长出的晶体轴向成分进行了分析。结果表明,晶体在籽晶、放
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通过改进ZnGeP2晶体的合成和生长工艺,获得了尺寸为24 mm×60 mm的ZnGeP2单晶体。采用X射线光电子能谱（XPS）对生长出的晶体轴向成分进行了分析。结果表明,晶体在籽晶、放肩和主体部分成分一致,在尾部存在X射线衍射（XRD）未能检测出的极少量的P和Ge的氧化物,说明生长出的ZnGeP2单晶体的轴向成分比较均匀。红外透过率测试显示,晶体的轴向各部分在3~8μm波长范围内透过率均在56%以上,而尾部在近红外波段（1.3~2.6μm）的吸收明显要高于其他各部分。
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