【摘 要】
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利用磁控溅射制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜,系统地研究了生长温度（Tg）对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60
【机 构】
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哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,吉林大学材料科学与工程学院,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室
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利用磁控溅射制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜,系统地研究了生长温度（Tg）对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备。此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge—H和C—H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜
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