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过去，半导体工业中，线路板表面常采用湿态或干态的化学腐蚀来达到平整目的，由于化学法的腐蚀深度有限，且只能产生局部平整，当表面平整度要求<0.25μm，化学法就无能为力了。 机械化学抛光（CMP）是一种以化学腐蚀和机械磨平相结合的抛光方法，它的抛光深度可以满足各种要求，且可以整体平滑，轻易达到<0.25μm的表面平整度要求。目前，机械化学抛光法（CMP）在半导体工业中越来越重要，正在逐步取代化学方法而成为半导体抛光的主要工艺。