机械化学抛光相关论文
虽然单晶金刚石刀具被广泛应用于有色金属及非金属材料的超精密加工并获得纳米表面粗糙度及超精密的加工表面,然而在铝基碳化硅等......
随着我国对低轨光学卫星需求的不断增长,现有的光学元件制造模式存在着效率低、成本高、周期长等问题,严重影响了载荷研制效费比,为满......
稀土抛光粉尤其是氧化铈抛光粉是目前高精密光学玻璃、超薄液晶显示玻璃基板和半导体工业中超大规模集成电路基板抛光的主要打磨材......
机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS.鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力......
分析了机械化学抛光(CMP)过程中氧化剂与磨粒的化学机械协同作用机理,将CMP过程分为化学作用主导阶段和机械作用主导阶段.应用微观接触......
提出了一个机械化学抛光中晶圆材料非均匀性的有限元模型.通过分析压力、摩擦力、抛光垫和承载膜的可压缩性对晶圆的应力分布的影......
介绍了一种钒及钒基合金金相试样的常规制样方法,即试样的机械磨光,机械化学抛光,化学侵蚀等技术和经验.......
针对光学元件加工过程中产生的亚表面损伤(SSD),回顾了几种SSD表征技术以及材料去除机理,通过实验重新评价不同材料的公式可行性,分......
机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS。鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力、......
根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设,建立了更加准确合理的抛光盘作用在磨粒上的外力的理论模型,并通过实例对前人的模......
单晶金刚石所具有的高硬度、高禁带宽度、高热导率以及耐化学腐蚀等性质使得金刚石作为半导体材料在机械、光电等领域的应用处于重......
过去,半导体工业中,线路板表面常采用湿态或干态的化学腐蚀来达到平整目的,由于化学法的腐蚀深度有限,且只能产生局部平整,当表面平整度......
CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,其材料去除机制及理论模型的研究已经成为当前CMP研究的热点。综述基于流体润滑、磨粒磨损、化......
根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设,建立了更加准确合理的CMP过程磨粒压入芯片表面深度的理论模型。新模型包含了更加......
在长波红外波段,InAs/GaSbⅡ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯......
本文讨论用机械的和化学的方法制备砷化镓晶体表面。利用不同的化学腐蚀剂对逐次抛光过程中的各表面进行对比研究。用显微法定性地......
碲锌镉是一种性能优异的 Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体材料。随锌含量不同 ,其禁带宽度可连续调节 ,是用于制备红外探测器的碲镉汞材料的优......
随着我国对低轨光学卫星需求的不断增长,现有的光学元件制造模式存在着效率低、成本高、周期长等问题,严重影响了载荷研制效费比,......
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光。研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片......
基于传统的机械化学抛光方法和抛光原理,系统分析了抛光模和抛光粉的配制、抛光液、去除量的匹配等工艺因素对抛光效果的影响,确定......
单晶蓝宝石是一种多功能晶体材料,除具有优良的物理性能、化学性能和光学性外,其还具有透光性好,熔点高,硬度高,电绝缘性优良,热传......
本文创造性地将化学机械抛光(CMP)技术应用于纺织钢领的抛光中。通过试验表明:相对于传统的磨料流加工(AFM)技术,CMP技术抛光钢领......
CdSe属于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较高的平均原子序数,晶体密度较大(5.74g/cm3),对x射线和γ射线有较高的阻止能力,禁带宽度......
碲锌镉(CdZnTe)是制备X射线、γ射线探测器的一种理想半导体材料。CdZnTe欧姆接触电极是制备CdZnTe核辐射探测器的关键技术之一。表......