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SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节.
SiC陶瓷材料分子动力学模拟概述
【摘 要】
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SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节.
【机 构】
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福州大学材料科学与工程学院,韩国科学技术研究所
【出 处】
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山东陶瓷
【发表日期】
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2003年6期
【基金项目】
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福建省福州市自然科学基金
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