【摘 要】
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一引言Ⅲ—Ⅴ族半导体是比Si更为重要的微波和光电材料。过去对这类材料的体单晶和外延层生长的努力,使它们的质量有很大的提高,从而满足了微波和光电器件的要求。当今,面对
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一引言Ⅲ—Ⅴ族半导体是比Si更为重要的微波和光电材料。过去对这类材料的体单晶和外延层生长的努力,使它们的质量有很大的提高,从而满足了微波和光电器件的要求。当今,面对正在发展的高速、高功率和超品格器件以及光、电集成电路的要求,Ⅲ—Ⅴ
I. INTRODUCTION III-V semiconductors are more important than Si microwave and optoelectronic materials. In the past, efforts on the growth of bulk and epitaxial layers of such materials have greatly improved their quality to meet the requirements of microwave and optoelectronic devices. Nowadays, in the face of the requirements of developing high-speed, high-power and ultra-high-quality devices as well as optical and electrical integrated circuits, Ⅲ-Ⅴ
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