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本文对三种具有代表性的国产光纤的γ辐照感生损耗效应进行了研究，得出在0．85um波长感生损耗随辐射照剂量变化的规律。利用电子自旋共振（ESR）技术对辐照光纤的缺陷进行了研究，并对缺陷形成的过程和机制进行了分析和讨论。
光纤γ辐照损耗效应及缺陷机制的研究
【摘 要】
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本文对三种具有代表性的国产光纤的γ辐照感生损耗效应进行了研究，得出在0．85um波长感生损耗随辐射照剂量变化的规律。利用电子自旋共振（ESR）技术对辐照光纤的缺陷进行了研究，并对
【机 构】
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中国科学技术大学基础物理中心,华东城乡
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1991年1期
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