论文部分内容阅读
以Si粉体作为起始原料,以ZrO2-Y2O3-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅陶瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律。实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800℃实现氮化硅陶瓷的无压烧结,材料的密度可以达到99%以上,热导率达到72 W/m·K。