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本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。
MOS器件的最高工作温度及潜力开拓
【摘 要】
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本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1994年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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