场发射阵列相关论文
概述场致发射平板显示器件(FED)的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了F......
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点......
描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示......
随着电子业和通讯业的发展,场发射平板显示器已经渗入人们的生活中,这无疑对场发射平板显示产品的核心结构场发射阵列有很大的要......
简要介绍FED的基本原理、结构设计、存在的问题和发展前景
A brief introduction to the basic principles of FED, structural desi......
提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激......
本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果......
该文介绍了用场发射阵列作为电子源的纵向磁敏感传感器(VerticalFieldEmissionArraysMasneticFieldSensor-VFEAMFS)的工作原理,分析了......
具有聚集能力的、双层栅极场发射阵列是一种新型的高性能场发射阵列,是发展真空微电子微波、毫米波等器件的关键核心部件。但制备这......
本文提出了一种新型的自对准栅极场发射锥尖阵列的结构,并实验研究了该结构的制备方法,测量了其电学特性。测试结果表明该结构具有阴......
本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术,提出了具有自对准能力的刻蚀方法,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确......
概述场发射显示器件的原理,结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。......
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技......
场发射显示器件正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍了FED的发展历史,列举了FED与CRT及LCD相比的优点,介绍了FED的工作原理,制作技术及其发展动......
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进......
5英寸对角线的场发射显示器件已被充分研发出来,借助于门开荚驱动的设计,对其电子轨迹的轮廓进行了模拟与设计。在镀有氧化锢锡的玻......
本文给出了制作在有源矩阵场发射显示(AMFED)器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列(p-SiFEA)与薄膜晶体管(TFT)。这里的TFT设计即使在高......
一种基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器。采用三电极结构,阴极和栅极位于同一基板平面上,并制作在沟槽壁上。发射材料......
本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容,达到的水平和亟待解决的问题,包括真空微电子器件的基本结构,场发射列,微尖结构物理,新材......
本文根据恒定电场原理,提出了Spindt型真空微三极管按比例缩小规则。研究指出,Spindt型真空微三极管按比例缩小后,性能明显改进,工作电压降低。......
真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工......
本文介绍了真空微电子场发射阵列的结构,特性和制造工艺,并提供了四种实用的场发射彩平板显示器结构。......
通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的......
主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比.作者认为正在研发的热阴极和冷阴......
为用自对准技术制作聚焦型发射阵列(FFEA)的聚焦极,要求FFFA的电阻层能通过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni-SiO2金属陶瓷电阻层。研究结果......
本文报道了硅各向异性腐蚀结合静电键合工艺制备出的大面积场发射阵列。阵列密度为10 ̄6个/cm ̄2,且具有良好的均匀性。该工艺简单、易于控制,是......
目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大,也很复杂。......
本文介绍一种制备薄膜场发射阵列阴极的新方法,这就是以玻璃为衬底的电化学生长法。文章给出了用这种方法生成的铜尖端阵列的形貌和......
FEA器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了......
场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在:FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题.分析了产生这些问题的......
复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采......
描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场射阵列研究、低压场发财阵列研究以及场发射平板显示器......
目前,用于场发射阵列(FEA)的阴极发射体材料多种多样,按制备工艺可以分为蒸镀锥尖型、涂覆型和图形化阴极型等.本文概述近年来场发......
结合其发光原理及特点分析了阴极射线管(CIKT)显示器、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)的市场走向,认为FED是一种最......
了具有磺向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。......
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了......
作者将现有DD-250淀积设备改装后用于RIE刻蚀,能够刻蚀出良好的FEA尖端阵列,并摸索出了一套RIE刻蚀磁敏传感器器件的FEA尖端的工艺条件和工艺参数。本文......
研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti—w)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵......
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA,场发射显示器FED,真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器......
采用氧等离子体氧化刻蚀工艺,制备出尖锐的六硼化镧(LaB6)微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能,得到了真空......
场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象,然后描述了一个放电损伤的热电模型。说明了造成损伤的材料量,能......
研究了氮离子(N^+)轰击对石墨薄膜场发射特性的影响。片层石墨被N^+轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度-10^8cm^-2。XPS谱证实有许多......
场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴......
利用离子束刻蚀(IBE)和反应离子刻蚀(RIE)等干法刻蚀方法来制造带栅极的场发射阴极阵列。本文描述了其制作的流程工艺,并对制作中的一些......
场发射阵列(FEA)阴极具有瞬时启动、低功耗、室温工作等优点,如用作微波真空电子器件的电子源可以有效减小器件尺寸、提高器件性能......