论文部分内容阅读
采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝（Alq3）为功能层的单层同质结有机电致发光器件，器件结构为indium-tin-oxide（ITO）／tris-（8-hydroxylquinoline）-aluminum（Alq3）x nm）／Mg：Ag。通过改变有机功能层的厚度，采用陷阱电荷限制电流（TCLC）理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制，验证了实验结果和理论推导的一致性。结果表明，Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大，器件电流经历了从欧姆电导区、