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从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层电场，用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI（Negative bias temperature instability）效应的界面电荷的产生，是分析研究NBTI可靠性问题的一种有效方法。首先对器件栅氧化层／硅界面的耦合作用进行模拟，通过大量的计算和已有的实验比对分析得出：当NBTI效应界面电荷产生时，栅氧化层电场是增加了，但并没有使界面电荷继续增多，是沟道空穴浓度的降低决定了界面电荷有所减少（界面耦合作用）；当界面电荷的产生超过1012／cm。时，界面的这