【摘 要】
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为了改善单晶硅片化学机械抛光（CMP）接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光,基于弹性力学的＂Winkler地基＂理论提出了一个新的CMP接触模型。依据此模型,从葵花籽粒分布的结构特
【机 构】
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沈阳理工大学机械工程学院,珠海格力电器股份有限公司
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为了改善单晶硅片化学机械抛光（CMP）接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光,基于弹性力学的＂Winkler地基＂理论提出了一个新的CMP接触模型。依据此模型,从葵花籽粒分布的结构特征出发对抛光垫进行了分割,计算分析了分割参数对接触压强分布的影响规律,并实验验证了分割参数对硅片抛光平面度轮廓的影响规律。研究结果表明：当分割参数为顺时针0.008～0.009 mm,逆时针为0.005～0.006 mm时,抛光接触压强分布较为均匀,并使得被抛光晶片的平面度得到改善。
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