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新型薄膜SOI高压MOSFET的研制
新型薄膜SOI高压MOSFET的研制
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fdahofafh
【摘 要】
:
研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10^-2mm^2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电阻分别
【作 者】
:
李文宏
罗晋生
【机 构】
:
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,西安交通大学
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2003年12期
【关键词】
:
绝缘体上硅
金属氧化物半导体场效应晶体管
高压器件
MOSFET
薄膜
SOI
MOSFET
high voltage device
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研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10^-2mm^2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电阻分别为80Ω和65Ω.
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