AlAs/In0.53

Short-wave infrared detector with double barrier structure and low dark current density

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Short-wave infrared (SWIR) detectors combining AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs double barrier structure (DBS) with In0.53Ga0.47As absorption layer are fabricated by molecular beam epitaxy. By adding a p-charge layer, the dark current density of the detector is lowered by 3 orders of magnitude. The responsivity of the detector is tested at room temperature, which reaches 6000 A/W when the power of the incident light is 0.7 nW. The noise equivalent power (NEP) of the detector at 5 kHz is measured to be 3.77×10 14 W/Hz1/2 at room temperature.
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期刊论文Short-wave infrared detector with double barrier structure and low dark current density发表于2016年14期ChineseOpticsLetters作者YuDong,GuanglongWang,HaiqiaoNi,KangmingPei,ZhongtaoQiao,JianhuiChen,FengqiGao,BaochenLi,andZhichuanNiu,本篇论文的所有权归原作者YuDong,GuanglongWang,HaiqiaoNi,KangmingPei,ZhongtaoQiao,JianhuiChen,FengqiGao,BaochenLi,andZhichuanNiu所有,如果您对本文有版权争议,可与客服联系进行内容授权或下架。