【摘 要】
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首先分析了当前我国电子信息产业的现状，特别是电子材料与元器件行业的状况，结合国际上电子信息技术的发展趋势，阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(50932002)
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首先分析了当前我国电子信息产业的现状，特别是电子材料与元器件行业的状况，结合国际上电子信息技术的发展趋势，阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电／GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况，采用TiO2（诱导层）／MgO（阻挡层）组合缓冲层的方法控制介电／GaN集成薄膜生长取向、界面扩散，保护GaN基半导体材料的性能，降低介电／GaN集成薄膜界面态密度，建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工，研制出介电增强型GaNHEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集
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