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期刊论文
1μm CMOS电路研制中光刻胶反向腐蚀工艺研究
1μm CMOS电路研制中光刻胶反向腐蚀工艺研究
来源 :微电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:deiaw
【摘 要】
:
本文详细阐述了运用于1μm CMOS电路制作的光刻胶反向腐蚀工艺。通过扫描电镜分析。在Lam4500SiO2刻蚀机及Precision 5000 PECVD上使台阶高度由原来的550nm以上降到150nm以下,剖面角由原来的80°以上降到30°以下。
【作 者】
:
吕军
毛志军
【机 构】
:
中国华晶电子集团公司中央研究所二室
【出 处】
:
微电子技术
【发表日期】
:
1996年2期
【关键词】
:
大规模集成电路
CMOS电路
光刻胶反向腐蚀
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本文详细阐述了运用于1μm CMOS电路制作的光刻胶反向腐蚀工艺。通过扫描电镜分析。在Lam4500SiO2刻蚀机及Precision 5000 PECVD上使台阶高度由原来的550nm以上降到150nm以下,剖面角由原来的80°以上降到30°以下。
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