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报道了一个含总剂量的辐照效应的SOI MOSFET统一模型，该模型能自动计入体耗尽条件，不需要分类考虑不同膜厚的情况，模型计算结果与实验吻合较好，该模型物理意义明确，参数提取方便，适合于抗辐照SOI器件与电路的模拟。
短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型
【摘 要】
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报道了一个含总剂量的辐照效应的SOI MOSFET统一模型，该模型能自动计入体耗尽条件，不需要分类考虑不同膜厚的情况，模型计算结果与实验吻合较好，该模型物理意义明确，参数提取方便，
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年9期
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研基金,“973”国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 36 5 0 3)~~
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