【摘 要】
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针对多晶硅换热器运行过程结垢问题,以三羟甲基丙烷(TMP)为核、2,2-二羟甲基丙酸(DMPA)为AB2型聚合单体,合成端羟基超支化聚酯(HBP-OH),再以马来酸酐(MAH)进行端羟基改性,得到一种端羧基超支化聚酯(HBP-OMA)阻垢剂,考察了反应时间、反应温度、n(HBP-OH)∶n(MAH)对HBP-OMA阻垢性能的影响。确定HBP-OMA最佳合成工艺条件为:反应时间4.0 h、反应温度100℃、n(HBP-OH)∶n(MAH)=1∶1.5。当HBP-OMA阻垢剂添加量为7 mg·L-1
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针对多晶硅换热器运行过程结垢问题,以三羟甲基丙烷(TMP)为核、2,2-二羟甲基丙酸(DMPA)为AB2型聚合单体,合成端羟基超支化聚酯(HBP-OH),再以马来酸酐(MAH)进行端羟基改性,得到一种端羧基超支化聚酯(HBP-OMA)阻垢剂,考察了反应时间、反应温度、n(HBP-OH)∶n(MAH)对HBP-OMA阻垢性能的影响。确定HBP-OMA最佳合成工艺条件为:反应时间4.0 h、反应温度100℃、n(HBP-OH)∶n(MAH)=1∶1.5。当HBP-OMA阻垢剂添加量为7 mg·L-1
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