MBE外延InSb基CdTe工艺研究

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhexiu1314
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  碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料作为优秀的红外焦平面探测器优选材料,一直是国内外学者研究的重点.研究Si基替代衬底外延是MBE外延技术的主流,但是由于Si与HgCdTe材料存在晶格大失配(19.3%),造成较大的位错密度(>106cm-2)1-3,使得外延长波Si-HgCdTe遇到困难.经过探索,人们又将目光定位于InSb材料.InSb材料晶格常数几乎与HgCdTe材料相同,两者热膨胀系数也相近,曾作为LPE外延HgCdTe衬底材料,但由于LPE外延温度较高,衬底界面In元素扩散问题严重无法控制,导致被抛弃.MBE属于低温外延技术,有望控制界面处的In扩散.与此同时,随着InSb体晶技术的发展,InSb材料成本不断下降,晶圆尺寸可达4英寸4-5,给大面积长波HgCdTe材料外延带来了希望.本文通过研究InSb衬底In,Sb元素扩散的问题,通过外延一层CdTe,以CdTe作为隔离层可阻挡In,Sb元素的扩散,将其对长波HgCdTe的外延造成的影响降到最低.通过优化工艺成功制备了CdTe/InSb复合衬底,为长波HgCdTe外延提供了可能.
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