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在集成电路中根据VLSI和VHSIC发展的需要,在制造更小几何尺寸的超大规模集成电路和更快速度的超高速集成电路的过程中已经产生了一系列全新的问题,而研究这些问题就要用表面分析技术。扫描俄歇电子谱能达到表面分析所需要的高空间分辨率,但在多元素的深度分析时就要由高灵敏度的SIMS来补充,因为在半导体材料制备和处理过程中有意掺杂原子和污染原子的浓度为10~(18)—10~(20)atoms/cm~3。而除SIMS外,其它分析技术如AES、XPS等不能测量如此大动态范围的元素深度分布。如果可用来分析的面积大约为2